BS ISO 17109:2015
表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測(cè)定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法

Surface chemical analysis. Depth profiling. Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry sputter depth profiling using single and multi-layer thin films

被代替

BS ISO 17109:2015 發(fā)布?xì)v史

BS ISO 17109:2015由英國(guó)標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì) GB-BSI 發(fā)布于 2015-08-31，并于 2015-08-31 實(shí)施。

BS ISO 17109:2015 在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類中歸屬于: G70 化學(xué)助劑基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法，在國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類中歸屬于: 71.040.40 化學(xué)分析。

BS ISO 17109:2015 表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測(cè)定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法的最新版本是哪一版？

最新版本是 BS ISO 17109:2022 。

BS ISO 17109:2015 發(fā)布之時(shí)，引用了標(biāo)準(zhǔn)

• ISO 14606 表面化學(xué)分析.濺射深度輪廓.使用分層系統(tǒng)作為參考材料的優(yōu)化*， 2022-11-21 更新
• ISO 18115 表面化學(xué)分析.詞匯.修改件2
• ISO/TR 15969 表面化學(xué)分析 - 深度分析 - 濺射深度的測(cè)量*， 2021-03-17 更新

* 在 BS ISO 17109:2015 發(fā)布之后有更新，請(qǐng)注意新發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)的變化。

BS ISO 17109:2015的歷代版本如下：

• 2022年 BS ISO 17109:2022 表面化學(xué)分析 深度剖析 使用單層和多層薄膜的 X 射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜濺射深度分析中濺射速率的測(cè)定方法...
• 2015年 BS ISO 17109:2015 表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測(cè)定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法

BS ISO 17109:2015 是基于 ISO 17109 的發(fā)版本。

采用 ISO 17109 的發(fā)行版本有：

• BS ISO 17109:2015 表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測(cè)定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法
• BS ISO 17109:2022 表面化學(xué)分析 深度剖析 使用單層和多層薄膜的 X 射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜濺射深度分析中濺射速率的測(cè)定方法...

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)

BS ISO 17109:2015

發(fā)布

2015年

總頁(yè)數(shù)

28頁(yè)

發(fā)布單位

英國(guó)標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)

替代標(biāo)準(zhǔn)

BS ISO 17109:2022

當(dāng)前最新

BS ISO 17109:2022

 

 

引用標(biāo)準(zhǔn)

ISO 14606 ISO 18115 ISO/TR 15969

專題

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