T/IAWBS 009-2019
功率半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)濕熱高壓偏置試驗

High Voltage Bias Steady-state Temperature Humidity Test for Power Semiconductor Devices

適用范圍: 高溫高濕反偏測試是考核器件在高溫高濕偏壓條件下的耐久性的一項可靠性試驗，其主要的失效機(jī)理為與濕度相關(guān)的腐蝕、電化學(xué)效應(yīng)引起的阻斷能力下降、漏電升高。通常情況下，該項測試采用的阻斷電壓較低，如 AEC-Q101中規(guī)定偏置電壓不超過100V。采用較低偏置電壓的原因在于行業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，阻斷電壓過高引起的較大的漏電流會導(dǎo)致器件的自加熱，影響濕氣進(jìn)入封裝內(nèi)部。然而，近幾年的研究成果及在實際使用過程中發(fā)現(xiàn)，功率器件在高溫高濕環(huán)境下承受高偏壓時失效率明顯要更高，現(xiàn)有測試方法已不再滿足器件高溫高濕耐久性的驗證需求。同時，高溫高濕反偏測試涉及到溫度、濕度、偏壓三種應(yīng)力，而這三種應(yīng)力的施加方式在AEC-Q101中并未進(jìn)行詳細(xì)規(guī)定。本項目通過深入研究高溫高濕反偏測試中，不同封裝器件抵御濕氣進(jìn)入的能力，以及施加高電壓對于測試方法的影響，對檢測方法和要求進(jìn)行更具針對性和更為詳盡的規(guī)定和說明，從而建立一套更為嚴(yán)謹(jǐn)?shù)挠靡栽u價非氣密封裝的功率半導(dǎo)體器件在高溫高濕環(huán)境下耐受高電壓的可靠性的檢測標(biāo)準(zhǔn)。