GB/T 4937.34-2024
半導(dǎo)體器件 機械和氣候試驗方法 第34部分：功率循環(huán)

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 34: Power cycling

GBT4937.34-2024, GB4937.34-2024

標(biāo)準(zhǔn)號

GB/T 4937.34-2024

別名

GBT4937.34-2024, GB4937.34-2024

發(fā)布

2024年

總頁數(shù)

16頁

發(fā)布單位

國家質(zhì)檢總局

當(dāng)前最新

GB/T 4937.34-2024

 

 

半導(dǎo)體器件 機械和氣候試驗方法 第34部分: 功率循環(huán)

標(biāo)準(zhǔn)名稱:

GB/T 4937.34—2024 / IEC60749-34:2010

適用范圍:

本文件描述了一種確定半導(dǎo)體器件對熱應(yīng)力和機械應(yīng)力耐受能力的方法，通過對器件內(nèi)部芯片和連接結(jié)構(gòu)施加循環(huán)耗散功率來實現(xiàn)。試驗時，周期性施加和移除正向偏置（負(fù)載電流），使其溫度快速變化。本試驗是模擬電力電子的典型應(yīng)用，并且是對高溫工作壽命的一種補充。

失效機理可能不同于空氣對空氣溫度循環(huán)試驗及雙液槽法快速溫變試驗，因此會導(dǎo)致?lián)p傷，是一種破壞性試驗。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概要:

• 范圍：本文件描述了一種確定半導(dǎo)體器件對熱應(yīng)力和機械應(yīng)力耐受能力的方法。
• 規(guī)范性引用文件：GB/T 4023—2015、GB/T 15291—2015、IEC60747-1:2006、IEC60749-3
• 術(shù)語和定義：負(fù)載電流、殼溫、熱沉溫度等。

規(guī)范性引用文件:

GB/T 4023—2015 半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 第2部分: 整流二極管 (IEC60747-2:2000, IDT)
GB/T 15291—2015 半導(dǎo)體器件 第6部分: 晶閘管 (IEC60747-6:2000, IDT)
IEC60747-1:2006 半導(dǎo)體器件 第1部分: 總則
IEC60749-3 半導(dǎo)體器件 機械和氣候試驗方法 第3部分: 外部目檢

術(shù)語與定義:

• 負(fù)載電流：使器件產(chǎn)生功率損耗P的電流。
• 殼溫：被測器件底部貼近熱沉處的溫度。
• 熱沉溫度：緊挨被測器件處測得的熱沉的溫度。
• 結(jié)溫變化量：一個功率循環(huán)周期內(nèi)被測器件最大結(jié)溫和最小結(jié)溫的差值。

GB/T 4937.34-2024相似標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 4937.34-2024系列標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 4937.34-2024 中可能用到的儀器設(shè)備