GB/T 6217-1998 半導(dǎo)體器件 分立器件 第7部分;雙極型晶體管 第一篇 高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本原則，制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范一致。

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section One--Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification

GB/T 7576-1998 半導(dǎo)體器件 分立器件 第7部分;雙極型晶體管 第四篇 高頻放大管殼額定雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定高頻放大管殼額定雙極型晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本原則，制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范一致。 本空白詳細(xì)規(guī)范是與GB/T4589.1-1989《半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路總規(guī)范》和GB/T 12560-1990《半導(dǎo)體器件 分立器件分規(guī)范》（IEC747-11：1985）有關(guān)的一系列空白詳細(xì)規(guī)范中的一個(gè)。

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section Four--Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification

GB/T 6219-1998 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分;場(chǎng)效應(yīng)晶體管 第一篇 1GHz、5W以下的單柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定1GHz、5W以下的單柵楊效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本原則，制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范與本空白詳細(xì)規(guī)范一致。 本空白規(guī)范是與GB/T 4589.1-1989《半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路總規(guī)范》DEC 747-10：1984）和GB/T 1260-900《半導(dǎo)體器件 分立器件規(guī)范》（IEC 747.11：1985）有關(guān)的一系列空白詳細(xì)規(guī)范中的一個(gè)。

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 8: Field-effect transistors. Section One--Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz

GB/T 7577-1996 低頻放大管殼額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定高頻放大管殼額定雙極型晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本原則，制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范一致。 本空白詳細(xì)規(guī)范是與GB/T4589.1-89《半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路總規(guī)范》和GB/T 12560-90《半導(dǎo)體器件 分立器件分規(guī)范》有關(guān)的一系列空白詳細(xì)規(guī)范中的一個(gè)。

Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification

GB/T 6218-1996 開(kāi)關(guān)用雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

開(kāi)關(guān)用雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications

GB/T 6571-1995 半導(dǎo)體器件 分立器件 第3部分:信號(hào)(包括開(kāi)關(guān))和調(diào)整二極管

本標(biāo)準(zhǔn)等同采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC 747-3-1985《半導(dǎo)體器件 分立器件 第3部分：信號(hào)（包括開(kāi)關(guān)）和調(diào)整二極管》及其第1次修訂（1991）。

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 3: Signal(including switching)and regulator diodes

GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管

通常，本標(biāo)準(zhǔn)需要與IEC 747-1-1983《半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 第1部分：總則》一起使用。在IEC 747-1中，可找到下列的全部基礎(chǔ)資料： --術(shù)語(yǔ)； --文字符號(hào)； --基本額定值和特性； --測(cè)試方法；

Semiconductor devices. Discrete devices. Part 8: Field-effect transistors

GB/T 4587-1994 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分:雙極型晶體管

本標(biāo)準(zhǔn)給出了下列幾種類(lèi)型雙極型晶體管的標(biāo)準(zhǔn)： --小功率信號(hào)晶體管（不包括開(kāi)關(guān)用的）； --功率晶體管（不包括開(kāi)關(guān)和高頻用的）； --放大和振蕩用高頻功率晶體管； --開(kāi)關(guān)用晶體管。

Semiconductor discrete devices and integrated circuits. Part 7:Bipolar transistors

GB/T 3859.2-1993 半導(dǎo)體變流器 應(yīng)用導(dǎo)則

1.1主題內(nèi)容 本標(biāo)準(zhǔn)給出的是關(guān)于變流器應(yīng)用方面的資料，包括計(jì)算方法和有關(guān)性能的進(jìn)一步說(shuō)明。 1.2適用范圍 本標(biāo)準(zhǔn)主要涉及電網(wǎng)換相變流器，所敘述的內(nèi)容及計(jì)算方法均以電網(wǎng)換相變流器為基礎(chǔ)。但是某些章節(jié)（例如等效結(jié)溫計(jì)算、安全運(yùn)行方面的資料等）亦可用于其他變流器。 本標(biāo)準(zhǔn)是GB/T3859.1的延伸和補(bǔ)充。其內(nèi)容主要是對(duì)變流器的技術(shù)條件、性能及其變化作出說(shuō)明，并給出相關(guān)背景材料及計(jì)算方法，為變流器和GB/T3859.1的應(yīng)用提供方便。

Semiconductor convertors.Application guide

GB/T 3859.1-1993 半導(dǎo)體變流器 基本要求的規(guī)定

1.1主題內(nèi)容 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體電力變流器的有關(guān)定義、類(lèi)型、參數(shù)、基本性能和試驗(yàn)要求。 1.2適用范圍 本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子閥構(gòu)成的電力電子變流器和電力電子開(kāi)關(guān)。就運(yùn)行方式而言，主要是基于電網(wǎng)換相的整流器、逆變器、或兼有這兩種運(yùn)行的變流器。 這里所說(shuō)的電子閥，主要是指由電力半導(dǎo)體器件（如二極管、各種類(lèi)型的晶閘管和電力晶體管等）構(gòu)成的電路閥。這些器件一般可用電的或光的信號(hào)進(jìn)行控制，并工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。 只要沒(méi)有矛盾，本標(biāo)準(zhǔn)也可作為其它類(lèi)型電力電子變流器（例如自換相變流器、直流-直流變流器、電機(jī)傳動(dòng)用變流器、電氣鐵道用變流器等）的標(biāo)準(zhǔn)。一般情況下，這些類(lèi)型的變流器還應(yīng)在本標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上制訂各自的分類(lèi)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。

Semiconductor convertors.Specification of basic requirements

GB 9509-1988 電子元器件詳細(xì)規(guī)范 3DA1514型硅NPN環(huán)境額定高頻放大晶體管(可供認(rèn)證用)

Detail Specification for Electronic Components 3DA1514 Silicon NPN Environment Rated High Frequency Amplifying Transistors (available for certification)

GB 9520-1988 電子元器件詳細(xì)規(guī)范 3DD200型硅NPN低頻放大用管殼額定雙極型晶體管(可供認(rèn)證用)

Detail specification for electronic components 3DD200 type silicon NPN low frequency amplifying case rated bipolar transistors (available for certification)

GB 9521-1988 電子元器件詳細(xì)規(guī)范 3DD325型硅NPN 環(huán)境額定低頻放大晶體管(可供認(rèn)證用)

Detail specification for electronic components 3DD325 silicon NPN ambient rated low frequency amplifier transistors (available for certification)

GB/T 7581-1987 半導(dǎo)體分立器件外形尺寸

本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體分立器件的外形尺寸。

Dimensions of outlines for semiconductor discrete devices

GB/T 6256-1986 工業(yè)加熱三極管空白詳細(xì)規(guī)范(可供認(rèn)證用)

本空白詳細(xì)規(guī)范適用于工業(yè)加熱三極管。它與GB625586《空間電荷控制電子管總規(guī)范》一起使用。它規(guī)定了詳細(xì)規(guī)范采用的格式和包括的內(nèi)容。

Blank detail specification for industrial heating triodes

GB 6256-1986 工業(yè)加熱三極管空白詳細(xì)規(guī)范 (可供認(rèn)證用)

Blank detail specification for industrial heating transistors (available for certification)

SJ/T 1486-2016 半導(dǎo)體分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高頻高反壓小功率晶體管詳細(xì)規(guī)范

Semiconductor discrete device 3CG180 type silicon PNP high frequency high back voltage low power transistor detailed specification

SJ/T 1826-2016 半導(dǎo)體分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率開(kāi)關(guān)晶體管詳細(xì)規(guī)范

Semiconductor discrete device 3DK100 type NPN silicon low power switching transistor detailed specification

SJ/T 1834-2016 半導(dǎo)體分立器件 3DK104型ＮＰＮ硅小功率開(kāi)關(guān)晶體管詳細(xì)規(guī)范

Semiconductor discrete device 3DK104 type NPN silicon low power switching transistor detailed specification

SJ/T 1831-2016 半導(dǎo)體分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率開(kāi)關(guān)晶體管詳細(xì)規(guī)范

Semiconductor discrete device 3DK28 type NPN silicon low power switching transistor detailed specification