二次離子質(zhì)譜數(shù)據(jù)

本專題涉及二次離子質(zhì)譜數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)有7條。

國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，二次離子質(zhì)譜數(shù)據(jù)涉及到分析化學(xué)。

在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，二次離子質(zhì)譜數(shù)據(jù)涉及到基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法。

美國材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)，關(guān)于二次離子質(zhì)譜數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)

• ASTM E1635-95(2000) 二次離子質(zhì)譜（SIMS）中成像數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
• ASTM E1635-06(2019) 二次離子質(zhì)譜（SIMS）中成像數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
• ASTM E1504-11(2019) 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
• ASTM E2695-09 用飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法說明質(zhì)譜數(shù)據(jù)獲取的標(biāo)準(zhǔn)指南
• ASTM E1162-11(2019) 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中濺射深度剖面數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程

GSO，關(guān)于二次離子質(zhì)譜數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)

• GSO ISO 17560:2013 表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜測定硅中硼深度數(shù)據(jù)的方法
• GSO ISO 12406:2013 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 測定硅中砷深度數(shù)據(jù)的方法

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可能用到的儀器設(shè)備