x射線光電 俄歇電子
本專題涉及x射線光電 俄歇電子的標(biāo)準(zhǔn)有21條。
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類中，x射線光電 俄歇電子涉及到分析化學(xué)、長(zhǎng)度和角度測(cè)量。
在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類中，x射線光電 俄歇電子涉及到基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、化學(xué)、化學(xué)助劑基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法。
英國(guó)標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)，關(guān)于x射線光電 俄歇電子的標(biāo)準(zhǔn)
- BS ISO 21270:2005 表面化學(xué)分析.X射線光電子和俄歇電子光譜儀.強(qiáng)度標(biāo)的線性度
- BS ISO 21270:2004 表面化學(xué)分析 X 射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀 強(qiáng)度尺度的線性
- BS ISO 21270:2004(2010) 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀 強(qiáng)度標(biāo)度線性度
- BS ISO 17109:2015 表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測(cè)定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法
- BS ISO 17109:2022 表面化學(xué)分析 深度剖析 使用單層和多層薄膜的 X 射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜濺射深度分析中濺射速率的測(cè)定方法...
- 21/30433862 DC BS ISO 17109 AMD1 表面化學(xué)分析 深度剖析 使用單一和……的 X 射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜濺射深度分析中濺射速率測(cè)定方法
韓國(guó)科技標(biāo)準(zhǔn)局，關(guān)于x射線光電 俄歇電子的標(biāo)準(zhǔn)
- KS D ISO 21270-2020 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜和俄歇電子能譜儀 強(qiáng)度標(biāo)度線性度
- KS D ISO 21270:2005 表面化學(xué)分析.X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀.強(qiáng)度標(biāo)的線性
- KS D ISO 21270-2005(2020) 表面化學(xué)分析X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀強(qiáng)度標(biāo)度的線性
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織，關(guān)于x射線光電 俄歇電子的標(biāo)準(zhǔn)
- ISO 21270:2004 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀.強(qiáng)度標(biāo)的線性
- ISO 17109:2022 表面化學(xué)分析.深度剖面.用單層和多層薄膜在X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中測(cè)定濺射速率的方法
- ISO 17109:2015 表面化學(xué)分析. 深度剖析. 使用單層和多層薄膜測(cè)定X射線光電子能譜, 俄歇電子能譜以及二次離子質(zhì)譜法濺射深度剖析中濺射率的方法
國(guó)家質(zhì)檢總局，關(guān)于x射線光電 俄歇電子的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 21006-2007 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀 強(qiáng)度標(biāo)的線性
GSO，關(guān)于x射線光電 俄歇電子的標(biāo)準(zhǔn)
- OS GSO ISO 21270:2014 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀 強(qiáng)度標(biāo)度的線性
- GSO ISO 21270:2014 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀 強(qiáng)度標(biāo)度的線性
- BH GSO ISO 21270:2016 表面化學(xué)分析 X射線光電子能譜儀和俄歇電子能譜儀 強(qiáng)度標(biāo)度的線性
美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)，關(guān)于x射線光電 俄歇電子的標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM E1217-11 用X射線光電子光譜儀和俄歇電子光譜儀測(cè)定影響檢測(cè)信號(hào)樣品面積的標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程
- ASTM E1217-00 用X射線光電子光譜儀和俄歇電子光譜儀測(cè)定影響檢測(cè)信號(hào)的樣品面積的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)范
- ASTM E1217-05 用X射線光電子光譜儀和俄歇電子光譜儀測(cè)定影響檢測(cè)信號(hào)的樣品面積的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)范
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局、中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)，關(guān)于x射線光電 俄歇電子的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 41064-2021 表面化學(xué)分析 深度剖析 用單層和多層薄膜測(cè)定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析濺射速率的方法
SCC，關(guān)于x射線光電 俄歇電子的標(biāo)準(zhǔn)
- ISO 17109:2015/DAmd 1 表面化學(xué)分析 深度分析 X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜濺射深度分析中使用單層和多層薄膜的濺射速率測(cè)定方法 A...
