傳導(dǎo)發(fā)射

本專(zhuān)題涉及傳導(dǎo)發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)有25條。

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)中，傳導(dǎo)發(fā)射涉及到電磁兼容性(EMC)、道路車(chē)輛裝置、集成電路、微電子學(xué)。

在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)中，傳導(dǎo)發(fā)射涉及到電磁兼容、車(chē)用電子、電氣設(shè)備與儀表綜合、半導(dǎo)體集成電路。

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-郵電通信，關(guān)于傳導(dǎo)發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)

• YD/T 1690.6-2007 電信設(shè)備內(nèi)部電磁發(fā)射診斷技術(shù)要求和測(cè)量方法（150kHz～1GHz）第6部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量 磁場(chǎng)探頭方法
• YD/T 1690.4-2007 電信設(shè)備內(nèi)部電磁發(fā)射診斷技術(shù)要求和測(cè)量方法（150kHz～1GHz）第4部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量 1Ω/150Ω直接耦合方法
• YD/T 1690.5-2007 電信設(shè)備內(nèi)部電磁發(fā)射診斷技術(shù)要求和測(cè)量方法（150kHz～1GHz）第5部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量 法拉第籠方法

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局、中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)，關(guān)于傳導(dǎo)發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)

• GB/T 21437.2-2021 道路車(chē)輛 電氣/電子部件對(duì)傳導(dǎo)和耦合引起的電騷擾試驗(yàn)方法 第2部分：沿電源線的電瞬態(tài)傳導(dǎo)發(fā)射和抗擾性

SCC，關(guān)于傳導(dǎo)發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)

• BS PD IEC/TR 62433-2-1:2010 EMC IC 建模 傳導(dǎo)發(fā)射黑盒建模理論
• CEI EN 61967-6:2009 集成電路 電磁發(fā)射測(cè)量 150 kHz 至 1 GHz 第6部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量 磁探針?lè)?/li>

英國(guó)標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)，關(guān)于傳導(dǎo)發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)

• PD IEC/TR 62433-2-1:2010 EMC IC 建模 傳導(dǎo)發(fā)射黑盒建模理論
• BS EN 62433-2:2010 EMC IC建模.EMI動(dòng)作模擬用集成電路模型.傳導(dǎo)發(fā)射建模(ICEM-CE)
• BS EN 62433-2:2017 EMC IC 建模 用于 EMI 行為仿真的集成電路模型 傳導(dǎo)發(fā)射建模(ICEM-CE)

GSO，關(guān)于傳導(dǎo)發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)

• BH GSO IEC/TR 62433-2-1:2016 EMC IC 建模 第2-1部分：傳導(dǎo)發(fā)射黑盒建模理論
• GSO IEC/TR 62433-2-1:2013 EMC IC 建模 第2-1部分：傳導(dǎo)發(fā)射的黑盒建模理論

德國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會(huì)，關(guān)于傳導(dǎo)發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)

• DIN EN 61967-5:2003-10 集成電路 電磁發(fā)射測(cè)量 150kHz 至 1 GHz 第5部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量
• DIN EN 61967-6 Berichtigung 1:2011-02 集成電路 電磁發(fā)射測(cè)量 150kHz 至 1 GHz 第6部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量 磁探針?lè)?/li>

美國(guó)電氣電子工程師學(xué)會(huì)，關(guān)于傳導(dǎo)發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)

• IEEE Std 213-1987 測(cè)量電視和FM廣播接收機(jī)向電源線傳導(dǎo)發(fā)射的程序

韓國(guó)科技標(biāo)準(zhǔn)局，關(guān)于傳導(dǎo)發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)

• KS C IEC 61967-4-2004(2019) 集成電路150kHz～1GHz電磁發(fā)射測(cè)量第4部分:傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量1W/150W直接耦合法

國(guó)際電工委員會(huì)，關(guān)于傳導(dǎo)發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)

• IEC 61967-6:2002+AMD1:2008 CSV 集成電路.150kHz至1GHz電磁發(fā)射的測(cè)量.第6部分:傳導(dǎo)發(fā)射的測(cè)量.磁探針?lè)?/li>
• IEC 61967-6:2002/AMD1:2008 集成電路.150kHz至1GHz電磁發(fā)射的測(cè)量.第6部分:傳導(dǎo)發(fā)射的測(cè)量.磁探針?lè)?/li>
• IEC 61967-6:2008 集成電路.150kHz至1GHz電磁發(fā)射的測(cè)量.第6部分:傳導(dǎo)發(fā)射的測(cè)量.磁探針?lè)?/li>

國(guó)家質(zhì)檢總局，關(guān)于傳導(dǎo)發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)

• GB/Z 18039.2-2000 電磁兼容 環(huán)境 工業(yè)設(shè)備電源低頻傳導(dǎo)騷擾發(fā)射水平的評(píng)估

丹麥標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)，關(guān)于傳導(dǎo)發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)

• DS/EN IEC 61967-4:2021 集成電路《電磁發(fā)射的測(cè)量》第4部分：傳導(dǎo)發(fā)射的測(cè)量《1》《150》《直接耦合法》
• DS/EN 61967-6:2003 集成電路 電磁發(fā)射的測(cè)量，150 kHz 1 GHz 第6部分：傳導(dǎo)發(fā)射的測(cè)量 磁探針?lè)?/li>
• DS/EN 61967-6/A1:2008 集成電路 電磁發(fā)射的測(cè)量，150 kHz 至 1 GHz 第6部分：傳導(dǎo)發(fā)射的測(cè)量 磁探針?lè)?/li>

西班牙標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)，關(guān)于傳導(dǎo)發(fā)射的標(biāo)準(zhǔn)

• UNE-EN IEC 61967-4:2021 集成電路 電磁輻射測(cè)量 第4部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量 1 ?/150 ? 直接耦合法
• UNE-EN 61967-6:2002/A1:2008 集成電路 電磁輻射測(cè)量 150kHz 至 1 GHz 第6部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量 磁探針?lè)?/li>
• UNE-EN 61967-6:2002 集成電路 電磁輻射測(cè)量 150kHz 至 1 GHz 第6部分：傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量 磁探針?lè)?/li>

本站其他標(biāo)準(zhǔn)專(zhuān)題： 傳導(dǎo)騷擾發(fā)射，傳導(dǎo)，非傳導(dǎo)，傳導(dǎo)測(cè)試，傳導(dǎo) 測(cè)試，熱傳導(dǎo) ，傳導(dǎo)基礎(chǔ)，天線傳導(dǎo)，傳導(dǎo) 輻射，傳導(dǎo)強(qiáng)度，傳導(dǎo) 強(qiáng)度，+++++ 傳導(dǎo) 標(biāo)準(zhǔn)，+++++傳導(dǎo)騷擾，傳導(dǎo)測(cè)量，傳導(dǎo) 能力，傳導(dǎo)試驗(yàn)，傳導(dǎo)輻射 ，傳導(dǎo) 標(biāo)準(zhǔn)，傳導(dǎo) 騷擾，信號(hào) 傳導(dǎo)。

 

可能用到的儀器設(shè)備