水滴角測量儀應(yīng)用芯片半導(dǎo)體行業(yè)（晶圓wafer）的關(guān)鍵
半導(dǎo)體芯片行業(yè)特別是晶圓制程中對于清凈度的要求非常高，只有符合要求的晶圓才可視為合格品。作為測試等離子清洗效果評估的唯一手段，水滴角測量儀是評估晶圓品質(zhì)的最有效的工具。2018年以來，中國的芯片行業(yè)得到了迅速發(fā)展，因而，對于水滴角的測試提出了更高要求。
根據(jù)水滴角測試基本原理：固體樣品表面因本身存在的表面粗糙度、化學(xué)多樣性、異構(gòu)性的等因素，固體表面的接觸角值或水滴角值均體現(xiàn)為左、右、前、后的不一致；因而，水滴角的測量儀器的算法必須采用符合界面化學(xué)的基本原理并能夠?qū)崿F(xiàn) 3D水滴角測量的阿莎算法（ADSA-RealDrop）。同時，硬件方面必須具備微米級控制精度的獨立控制的二維水平調(diào)整臺和微米級控制精度的獨立控制的二維水平調(diào)整機構(gòu)。
測試芯片半導(dǎo)體的應(yīng)用過程的技術(shù)要求：
1、由于芯片納米級的工藝，如12納米或7納米制程時，且結(jié)構(gòu)是多樣的，方向是多樣的，因而，異構(gòu)性以芯片或晶圓制程中尤其突出。進而，必須要求水滴角測量儀能夠基于阿莎算法并充分利用阿莎算法的敏感度高的優(yōu)點。
2、水滴角測量儀的應(yīng)用物性要求能夠敏感的捕捉到微滴（盡量為1uL以內(nèi)，采用超細針頭）小范圍內(nèi)的左、右、前、后由于清潔度效果不好導(dǎo)致的角度的微小變化。如上圖所示，角度值第一個時明顯的出現(xiàn)了左、右角度值的偏差，說明樣品表面是不干凈的。而第二張水滴角的角度圖片則顯示左、右角度值接近度比較高，清潔度比較好。
綜合如上，我們可以發(fā)現(xiàn)，對于芯片或晶圓制程來講，水滴角的應(yīng)用除了用于測試等離子清洗（Plasma）的效果外，還有一個更為重要的應(yīng)用是評估何種情況下，晶圓的粘附力或表面自由能是最合理的。而特別是后者的應(yīng)用，目前來講，中國的芯片制造廠還沒有像國外的生產(chǎn)廠那個引起足夠的重視。
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