七大芯片材料超全解析來(lái)襲，帶您進(jìn)一步了解半導(dǎo)體材料
材料和設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石，一代技術(shù)依賴(lài)于一代工藝，一代工藝依賴(lài)一代材料和設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)。
半導(dǎo)體材料處于整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游環(huán)節(jié)，對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起著重要支撐作用，具有產(chǎn)業(yè)規(guī)模大、細(xì)分行業(yè)多、技術(shù)門(mén)檻高、研發(fā)投入大、研發(fā)周期長(zhǎng)等特點(diǎn)。
半導(dǎo)體材料行業(yè)又因其具有極大的附加值和特有的產(chǎn)業(yè)生態(tài)支撐作用而往往成為國(guó)家之間博弈的籌碼。
全球晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)背景下，中國(guó)大陸作為晶圓制造產(chǎn)能的新興領(lǐng)域，將進(jìn)一步拉動(dòng)上游半導(dǎo)體材料需求。
種類(lèi)繁多的芯片生產(chǎn)所需材料構(gòu)成了半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)。
在半導(dǎo)體整個(gè)生產(chǎn)周期中，半導(dǎo)體材料雖處于產(chǎn)業(yè)鏈上游，但從晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)角度看，半導(dǎo)體材料采購(gòu)是在晶圓廠建設(shè)完工并下達(dá)訂單后開(kāi)始進(jìn)行，因此半導(dǎo)體材料屬于半導(dǎo)體周期偏后的環(huán)節(jié)。
按應(yīng)用環(huán)節(jié)劃分，半導(dǎo)體材料主要分為制造材料和封裝材料。
晶圓制造主要材料包括硅片、光掩模、光刻膠、光刻膠輔助材料、濕電子化學(xué)品、拋光材料、電子特氣、拋光材料、靶材及其他材料。
封裝材料包括：引線(xiàn)框架、封裝基板、陶瓷基板、鍵合絲、包裝材料及芯片粘接材料等。
其中，硅片和光掩模版占半導(dǎo)體材料總成本接近50%：
硅片
半導(dǎo)體硅片在產(chǎn)業(yè)鏈中位于晶圓上游，按加工程度可分為研磨片、拋光片和外延片。
硅研磨片是指對(duì)硅單晶錠進(jìn)行切割、研磨等加工得到的厚度小于1mm的圓形晶片，是制作硅拋光片及硅外延片的中間產(chǎn)品，也可以用于制作分立器件芯片。
硅拋光片由硅研磨片經(jīng)過(guò)后續(xù)拋光、清洗等精密加工而成，主要應(yīng)用于集成電路和分立器件制造。
硅外延片是指在硅單晶襯底上外延生長(zhǎng)一層或多層硅單晶薄膜的材料，用于制造半導(dǎo)體分立器件和集成電路。
當(dāng)前全球市場(chǎng)主流的產(chǎn)品是200mm（8寸）、300mm（12寸）直徑的半導(dǎo)體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設(shè)備投資也與200mm和300mm規(guī)格相匹配。
200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來(lái)源于功率器件、電源管理器、非易失性存儲(chǔ)器、MEMS、顯示驅(qū)動(dòng)芯片與指紋識(shí)別芯片等。
300mm（12寸）半導(dǎo)體硅片的需求主要來(lái)源于存儲(chǔ)芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPGA與ASIC，終端應(yīng)用主要為智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、云計(jì)算、人工智能、SSD等較為高端領(lǐng)域。
從2008年起，12寸半導(dǎo)體硅片逐漸成為核心產(chǎn)品，產(chǎn)量呈明顯增長(zhǎng)之勢(shì)。
?光掩模版
掩膜版是微電子制造中光刻工藝所使用的圖形母版。通過(guò)光刻制版工藝，將微米級(jí)和納米級(jí)的精細(xì)圖案刻制于掩膜基板上制作成光掩膜版。
光掩膜版的功能類(lèi)似于傳統(tǒng)照相機(jī)的底片，用光刻機(jī)在原材料上刻蝕出相應(yīng)的圖形，把不需要的金屬層和膠層洗去，即得到成品。
光掩膜基板的生產(chǎn)完成后，進(jìn)入光掩模版制造商，在玻璃基板基礎(chǔ)上進(jìn)行研磨、拋光、鍍鉻、涂膠等生產(chǎn)環(huán)節(jié)，需要較高的技術(shù)門(mén)檻，而后才能成為合格的電子元器件。
光刻膠
光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、平板顯示光刻膠和PCB光刻膠，其技術(shù)壁壘依次降低。
目前半導(dǎo)體光刻膠國(guó)產(chǎn)技術(shù)較國(guó)外先進(jìn)技術(shù)差距最大。
濕電子化學(xué)品
據(jù)統(tǒng)計(jì)，在晶圓制造材料價(jià)值組成中，濕電子化學(xué)品約占10%（包括化學(xué)試劑和光刻膠配套試劑）。
濕電子化學(xué)品是微電子、光電子濕法工藝（主要包括濕法刻蝕、濕法清洗）制程中使用的各種液體化工材料。
濕電子化學(xué)品按用途可分為通用化學(xué)品(超凈高純?cè)噭?和功能性化學(xué)品(以光刻膠配套試劑為代表)。
濕電子化學(xué)品在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的應(yīng)用主要包括集成電路和分立器件制造用晶圓的加工，包括前端加工與后端封測(cè)環(huán)節(jié)，其中濕電子化學(xué)品主要用于清洗、光刻和蝕刻工藝。
在晶圓加工中，硫酸、雙氧水、氨水、顯影液、氫氟酸是主要的濕電子化學(xué)品，分別占32.8%、28.1%、8.3%、6%和5.9%。
電子特氣
電子特氣屬于工業(yè)氣體的重要分支，是電子工業(yè)生產(chǎn)中不可或缺的基礎(chǔ)和支撐性材料之一，其使用穿透半導(dǎo)體制造的整個(gè)過(guò)程。
電子特氣市場(chǎng)進(jìn)入壁壘較高，行業(yè)具有高度集中的特點(diǎn)，海內(nèi)外市場(chǎng)皆被國(guó)際巨頭瓜分。
CMP拋光材料
CMP拋光材料包括拋光液（占整個(gè)拋光材料比例約50%）、拋光墊和鉆石碟。
對(duì)于邏輯芯片，制程的縮小意味著光刻次數(shù)和刻蝕次數(shù)增加，也帶動(dòng)CMP工藝步驟數(shù)增加。7nm制程需要30次CMP工藝步驟，較14nm制程大幅提升。
對(duì)于存儲(chǔ)芯片，隨著2DNAND向3DNAND轉(zhuǎn)變，CMP的工藝步驟幾乎翻倍，帶動(dòng)了鎢拋光液及其他拋光液需求的持續(xù)快速增長(zhǎng)。
靶材
靶材是沉積薄膜的重要原料，主要應(yīng)用于面板顯示、半導(dǎo)體、磁記錄薄膜、太陽(yáng)能領(lǐng)域，其中應(yīng)用于半導(dǎo)體的靶材純度要求最高。
半導(dǎo)體用金屬靶材主要包括超高純鋁靶、鈦靶、鉭靶等。
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招標(biāo)采購(gòu)
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綜述
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焦點(diǎn)事件
